0
0
0

1 ТБ SSD накопитель Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) черный

Код товара: 20062669 product-code
  • Производитель: Samsung
  • Партномер: MZ-VAP1T0CW
  • Наличие: В наличии
143 680 ₸
Цена с НДС 16%
Юрлицам - отсрочка до 30 дней. Условия
Можно купить дешевле:
от 10 шт
140 806 ₸
от 50 шт
137 933 ₸
от 100 шт
136 496 ₸
Задать вопрос по товару
Доставка и оплата
Самовывоз (Алматы)
При оплате заказа до 10:16, заказ будет готов сегодня к 12:16. Забрать можно до 18:00
Доставка курьером: Алматы (Алма-Ата)
Доставим сегодня до 12:16, при оплате заказа сегодня до 10:16
Другие города и поселки
Доставим за 1 день
Оплата для юрлиц
Безнал по счету, ЭСФ. Отсрочка платежа до 30 дней - узнать условия
Основные характеристики
Все характеристики
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Количество бит на ячейку: 3 бит TLC
Максимальная скорость последовательного чтения: 14700 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи: 13300 Мбайт/сек
Объем накопителя: 1000 ГБ

Samsung 9100 PRO — это флагманский твердотельный накопитель, предназначенный для самых требовательных пользователей, геймеров и профессионалов, работающих с большими данными и AI. Используя передовой интерфейс PCIe 5.0 x4 и протокол NVMe 2.0, этот SSD обеспечивает беспрецедентные скорости последовательного чтения до 14700 МБ/с и записи до 13300 МБ/с, что почти вдвое превышает производительность предыдущего поколения (990 PRO). Благодаря новейшему контроллеру Samsung in-house и многослойной 3D V-NAND TLC памяти, 9100 PRO гарантирует молниеносную загрузку ОС, мгновенный запуск приложений, плавное редактирование 4K/8K видео и безупречный игровой процесс. Встроенный эффективный радиатор обеспечивает оптимальный температурный режим даже при экстремальных нагрузках, предотвращая троттлинг и поддерживая стабильно высокую производительность.





Характеристики
Общие параметры
Модель Samsung 9100 PRO
Гарантия на товар 12 мес.
Тип SSD M.2 накопитель
Конфигурация накопителя
DRAM буфер есть
Количество бит на ячейку 3 бит TLC
Объем DRAM буфера 1024 МБ
Структура памяти 3D NAND
Надежность
DWPD 0.33
Максимальный ресурс записи (TBW) 600 ТБ
Основные характеристики
NVMe есть
Интерфейс PCIe 5.0 x4
Ключ M.2 разъема М
Объем накопителя 1000 ГБ
Форм-фактор 2280
Показатели производительности
Максимальная скорость последовательного чтения 14700 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи 13300 Мбайт/сек
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) 1850000 IOPS
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) 2600000 IOPS
Дополнительно
Аппаратное шифрование данных Есть
Особенности, дополнительно MTBF (среднее время безотказной работы) до 1 500 000 часов, совместим с PlayStation 5
Радиатор в комплекте есть