0
0
0

Оперативная память Patriot Signature (PSD38G1600L2S) 8 ГБ черный

Отзывы:
(0)
Код товара: 20022631 product-code
  • Производитель: Patriot
  • Партномер: PSD38G1600L2S
  • Наличие: В наличии
31 891 ₸
Цена с НДС 16%
Можно купить дешевле:
от 10 шт
31 253 ₸
от 50 шт
30 615 ₸
от 100 шт
30 296 ₸
Информация о доставке
Самовывоз (Алматы)
26 мая с 14:00 до 18:00, бесплатно
Доставка курьером: Алматы
Доставим завтра до 12:00, при оплате заказа до завтра до 10:00, бесплатно
Другие города и поселки
От 2 до 8 рабочих дней
Основные характеристики
Все характеристики
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Тактовая частота: 1600 МГц
Тип памяти: DDR3L
Форм-фактор памяти: SO-DIMM

Оперативная память SODIMM Patriot Signature PSD38G1600L2S 8 ГБ позволит расширить объем ОЗУ в вашем устройстве. Производство осуществляется с применением качественных компонентов, они гарантируют надежность. Идеальные характеристики будут важны при эксплуатации.

Форм-фактор планки – SODIMM. Такие элементы используются для портативных ПК. Плашка устанавливается в выделенный слот на материнской плате, процесс монтажа прост. При желании вы сможете самостоятельно добавить модуль в систему.

Планка относится к типу DDR3L. Она обладает прекрасными характеристиками для дальнейшего использования. Рабочая частота – 1600 ГГц, обеспечивается быстродействие системы. Вы сможете легко переключаться между приложениями, работать с рядом программ одновременно.

Оперативная память Patriot Signature PSD38G1600L2S 8 ГБ оснащается 16 чипами, они устанавливаются с двух сторон. Рабочее напряжение модуля составляет 1.35 В. Объем памяти – 8 ГБ, этого достаточно для комфортного дальнейшего использования. При помощи плашки можно модернизировать ноутбук и улучшить его характеристики.

Характеристики
Общие параметры
Модель Patriot Signature
Гарантия на товар 60 мес.
Быстродействие
Тактовая частота 1600 МГц
Объем и состав комплекта
ECC-память нет
Количество модулей в комплекте 1 шт
Объем одного модуля памяти 8 ГБ
Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор памяти SO-DIMM
Тайминги
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Конструкция
Двухсторонняя установка чипов есть
Количество чипов модуля 16
Наличие радиатора нет
Дополнительно
Напряжение питания 1.35 В
Отзывов (0)

Нет отзывов об этом товаре.