0
0
0

Оперативная память Samsung M321R4GA0BB0-CQKET (M321R4GA0BB0-CQK) 32 ГБ зеленый

Код товара: 20064896 product-code
Нет в наличии
Свяжитесь с нами и мы уточним, когда появится необходимый товар или подберем подходящий аналог
  • Производитель: Samsung
  • Партномер: M321R4GA0BB0-CQK
  • Наличие: Нет в наличии
112 850 ₸
Цена с НДС 16%
Юрлицам - отсрочка до 30 дней. Условия
Основные характеристики
Все характеристики
Тип памяти: DDR5
Форм-фактор памяти: RDIMM
Суммарный объем памяти всего комплекта: 32 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1 модуль
Тактовая частота: 4800 МГц

Оперативная память Samsung M321R4GA0BB0-CQK — модуль памяти DDR5 в форм-факторе RDIMM объемом 32 ГБ, предназначенный для серверов и рабочих станций. Модуль работает на частоте 4800 МГц с задержками 40-40-40.

Поддержка ECC позволяет обнаруживать и исправлять одиночные ошибки в данных, что важно для серверов, работающих круглосуточно. Модули DDR5 получают питание через собственный контроллер PMIC на плате, а каждый модуль разделен на два независимых 32-битных подканала, что повышает эффективность обмена данными. Регистровый модуль RDIMM с 288 контактами буферизует сигналы команд и адресов, снижая нагрузку на контроллер памяти и позволяя устанавливать больше модулей на канал. Модуль работает в стандартном режиме JEDEC без профилей разгона, поэтому параметры определяются SPD автоматически.

  • DDR5 RDIMM, 32 ГБ (1 модуль)
  • 4800 МГц, тайминги 40-40-40
  • Без профилей XMP/EXPO, стандарт JEDEC
  • Напряжение 1.1 В
  • Коррекция ошибок ECC, регистровый буфер
  • Без радиатора и подсветки

Одноранговый модуль предназначен для серверов и рабочих станций с поддержкой регистровой памяти. Samsung M321R4GA0BB0-CQK доступна в GreenPrice с доставкой по всему Казахстану.

Характеристики
Общие параметры
Модель Samsung
Гарантия на товар 12 мес.
Быстродействие
Тактовая частота 4800 МГц
Профили разгона нет
Объем и состав комплекта
Тип памяти DDR5
Форм-фактор памяти RDIMM
Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ
Количество модулей в комплекте 1 модуль
Объем одного модуля памяти 32 ГБ
ECC-память есть
Ранговость одноранговая
Тайминги
CAS Latency (CL) 40
RAS to CAS Delay (tRCD) 40
Row Precharge Delay (tRP) 40
Конструкция
Наличие радиатора нет
Цвет радиатора нет
Подсветка элементов платы нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Дополнительно
Напряжение питания 1.1 В