0
0
0

2 ТБ SSD диск Samsung 990 PRO (MZ-V9P2T0CW) черный

Отзывы:
(0)
Код товара: 20103298 product-code
  • Производитель: Samsung
  • Партномер: MZ-V9P2T0CW
  • Наличие: В наличии
172 152 ₸
Можно купить дешевле:
от 10 шт
168 709 ₸
от 50 шт
165 266 ₸
от 100 шт
163 544 ₸
Информация о доставке
Самовывоз (Алматы)
13 января с 15:00 до 20:00, бесплатно
Доставим 12 января до 12:00, при оплате заказа до 12 января до 10:00, бесплатно
Основные характеристики
Все характеристики
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Количество бит на ячейку: 3 бит MLC (TLC)
Максимальная скорость последовательного чтения: 7450 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи: 6900 Мбайт/сек
Объем накопителя: 2000 ГБ

SSD M.2 накопитель Samsung 990 PRO [MZ-V9P2T0CW] ориентирован на оснащение мощных игровых компьютеров и консолей PlayStation 5. Устройство с объемом 2000 ГБ использует для обмена данными высокоскоростной интерфейс PCI-E 4.0 x4. Модель соответствует самому распространенному форм-фактору – 2280. Накопитель совместим почти с любыми материнскими платами стационарных ПК и многими ноутбуками. Устройство оснащено радиатором и поддерживает интеллектуальную терморегуляцию. Поддержание безопасной температуры гарантирует стабильность быстродействия SSD.

Накопитель Samsung 990 PRO [MZ-V9P2T0CW] обеспечивает скорость последовательного чтения до 7450 МБ/с. Соответствующий показатель для записи – 6900 МБ/с. Характеристики устройства гарантируют высокую производительность файловых операций в любых программах, играх и операционных системах. Модель поддерживает аппаратное шифрование данных.

Максимальный ресурс записи накопителя равен 1200 ТБ. Показатель является преимуществом для SSD рассматриваемой емкости. Устройство рассчитано на частую переустановку ПО и регулярное резервное копирование.

Характеристики
Общие параметры
Модель Samsung 990 PRO
Гарантия на товар 60 мес.
Тип SSD M.2 накопитель
Конфигурация накопителя
DRAM буфер есть
Количество бит на ячейку 3 бит MLC (TLC)
Объем DRAM буфера 2048 МБ
Структура памяти 3D NAND
Надежность
DWPD 0.32
Максимальный ресурс записи (TBW) 1200 ТБ
Основные характеристики
NVMe есть
Интерфейс PCIe 4.0 x4
Ключ M.2 разъема М
Объем накопителя 2000 ГБ
Форм-фактор 2280
Показатели производительности
Максимальная скорость последовательного чтения 7450 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи 6900 Мбайт/сек
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) 1200000 IOPS
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) 1550000 IOPS
Дополнительно
Аппаратное шифрование данных нет
Радиатор в комплекте есть
Отзывов (0)

Нет отзывов об этом товаре.